美国商务部2024年12月2日宣布，新设“限制性制造设施”，即Restricted Fabrication Facility（RFF）许可例外和“高带宽记忆芯片“，即High Bandwidth Memory（HBM）许可例外。

限制性制造设施RFF许可无例外（ License Exception ），授权对特定的被列入实体清单主体相关的出口、再出口和（境内）转让）活动，该许可例外适用于未列入ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994的设备及相关软件、技术等。EAR§ 740.26。

高带宽记忆芯片HBM”，适用总部位于美国或A:5国家组指定目的地的主体，且最终母公司不得位于中国澳门以及国家组D:5指定目的地，范围是HBM芯片满足ECCN 3A090.c条件，但内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²（3.3 GB/s/mm^2）的HBM等，列入EAR§ 740.25。